UF9Z24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF9Z24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF9Z24
UF9Z24 Datasheet (PDF)
uf9z24.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF9Z24 Power MOSFET 12A, 55V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 1TO-220FTO-220 DESCRIPTION The UTC UF9Z24 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and minimum on-state resistance. It can 11also withstand high energy in the avalanche. TO-220F2TO-220F1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918