UT4800 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT4800

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de UT4800 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UT4800 datasheet

 ..1. Size:278K  utc
 ut4800.pdf pdf_icon

UT4800

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL Drain Gate Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack

 9.1. Size:285K  auk
 sut480h.pdf pdf_icon

UT4800

SUT480H Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Features Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Package SOT-353 Two 2SC5343 chips in SOT-353 package Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT480H SOT-353 X3 Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Con

Otros transistores... UT3404, UT3406, UT3414, UT3416, UT3418, UT3N01Z, UT4414, UT45N03, 8N60, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054