UT4800 Todos los transistores

 

UT4800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT4800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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UT4800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  utc
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UT4800

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL DrainGateSource ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack

 9.1. Size:285K  auk
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UT4800

SUT480HEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Features Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Package : SOT-353 Two 2SC5343 chips in SOT-353 package Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT480H SOT-353 X3 : Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Con

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History: NCE65N330R | PMN230ENEA

 

 
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