UT4800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT4800
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
UT4800 Datasheet (PDF)
ut4800.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL DrainGateSource ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack
sut480h.pdf

SUT480HEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Features Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Package : SOT-353 Two 2SC5343 chips in SOT-353 package Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT480H SOT-353 X3 : Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Con
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FTK4409 | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | IPB65R150CFD | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004
History: FTK4409 | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | IPB65R150CFD | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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