UT4800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT4800
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT4800
UT4800 Datasheet (PDF)
ut4800.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL DrainGateSource ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack
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