Справочник MOSFET. UT4800

 

UT4800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT4800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  utc
ut4800.pdfpdf_icon

UT4800

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL DrainGateSource ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack

 9.1. Size:285K  auk
sut480h.pdfpdf_icon

UT4800

SUT480HEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Features Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Package : SOT-353 Two 2SC5343 chips in SOT-353 package Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT480H SOT-353 X3 : Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Con

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVS65R240L8AD4TR | BUK9225-55A

 

 
Back to Top

 


 
.