UT4800. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT4800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT4800

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4800 даташит

 ..1. Size:278K  utc
 ut4800.pdf pdf_icon

UT4800

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4800 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SYMBOL Drain Gate Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pack

 9.1. Size:285K  auk
 sut480h.pdf pdf_icon

UT4800

SUT480H Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Features Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Package SOT-353 Two 2SC5343 chips in SOT-353 package Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT480H SOT-353 X3 Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Con

Другие IGBT... UT3404, UT3406, UT3414, UT3416, UT3418, UT3N01Z, UT4414, UT45N03, 8N60, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054