UT6402 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT6402

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm

Encapsulados: SOT-23 SOT-26

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UT6402 datasheet

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UT6402

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6402 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3 1 DESCRIPTION 2 SOT-23 The UT6402 is N-Channel enhancement mode Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4 speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5 capabilities, operation with low gate voltages. 6 This device is suitable for use as a load swit

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UT6402

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6401 Power MOSFET 5A, 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3 1 DESCRIPTION 2 SOT-23 The UTC UT6401 is P-channel enhancement mode Power (SC-59) MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4 speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5 capabilities, operation with low gate charge. 6 This device is suitable for u

Otros transistores... UT3414, UT3416, UT3418, UT3N01Z, UT4414, UT45N03, UT4800, UT50N03, 75N75, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055