UT75N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT75N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.005 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220_TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT75N02

UT75N02 Datasheet (PDF)

1.1. ut75n02.pdf Size:141K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N02 Preliminary Power MOSFET 75A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO- 251 The UTC UT75N02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 FEATURES TO-220 * RDS(ON)< 7m? @ VGS=10V * RD

4.1. ut75n03.pdf Size:139K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N03 Preliminary Power MOSFET 75A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION The UTC UT75N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM 1 applications. TO-251 FEATURES * RDS(ON)< 7m? @VGS=10V * RDS(

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Liste

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