UT75N02 Todos los transistores

 

UT75N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT75N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

UT75N02 Datasheet (PDF)

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 ut75n02.pdf pdf_icon

UT75N02

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N02 Preliminary Power MOSFET 75A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO- 251The UTC UT75N02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 FEATURES TO-220* RDS(ON)

 8.1. Size:139K  utc
 ut75n03.pdf pdf_icon

UT75N02

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N03 Preliminary Power MOSFET 75A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT75N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM 1applications. TO-251 FEATURES * RDS(ON)

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History: NDB5060 | FDP10N60NZ | STF34N65M5 | IPA65R600C6 | AMD534CE | SQ3419EEV | IRFI730A

 

 
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