UT75N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT75N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-251

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UT75N02 datasheet

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UT75N02

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N02 Preliminary Power MOSFET 75A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO- 251 The UTC UT75N02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 FEATURES TO-220 * RDS(ON)

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UT75N02

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N03 Preliminary Power MOSFET 75A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION The UTC UT75N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM 1 applications. TO-251 FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... UT3416, UT3418, UT3N01Z, UT4414, UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, AO3400A, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02