UT75N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UT75N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-251
UT75N02 Datasheet (PDF)
ut75n02.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N02 Preliminary Power MOSFET 75A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO- 251The UTC UT75N02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 FEATURES TO-220* RDS(ON)
ut75n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N03 Preliminary Power MOSFET 75A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT75N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM 1applications. TO-251 FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918