UP2003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UP2003

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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UP2003 datasheet

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UP2003

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2003 Power MOSFET 9A, 25V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UP2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:325K  siemens
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UP2003

BUP 200 D IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 200 D 1200V 3.6A TO-220 AB Q67040-A4420-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector

 9.2. Size:300K  siemens
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UP2003

BUP 200 IGBT Preliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 200 1200V 3.6A TO-220 AB Q67078-A4400-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate

Otros transistores... UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, IRFB7545, UT2309, UT30P03, UT3310, UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443