UT3310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT3310
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT3310
UT3310 Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3310 Power MOSFET Preliminary P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3310 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET. The UTC UT3310 uses advanced technology to provide customers with fast switching, low on-resistance andcost-effectiveness. The UTC UT3310 is generally applied in low voltage and battery power appl
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