UT3310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT3310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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UT3310 datasheet

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UT3310

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3310 Power MOSFET Preliminary P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3310 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET. The UTC UT3310 uses advanced technology to provide customers with fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. The UTC UT3310 is generally applied in low voltage and battery power appl

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