UT3443 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT3443
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT-26
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UT3443 datasheet
ut3443.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3443 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3443 is a P-channel power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 12V gate rating. FEATURES * VDS(V)= -20V * ID=-4.5A *RDS(ON)
Otros transistores... UP2003, UT2309, UT30P03, UT3310, UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, 60N06, UT3P01Z, UT4411, UT4413, UT4435, UT6401, UT70P03, UT7401, UT9435
History: IRF7470
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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