UTC654 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTC654
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
Encapsulados: SOT-26
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UTC654 datasheet
utc654.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTC654 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As P-Channel Logic Level MOSFET, UTC654 has been optimized for battery power management applications. And it s produced using UTC s advanced Power Trench process. SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6
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History: FQN1N60CBU
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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