UTC654 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTC654
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UTC654 Datasheet (PDF)
utc654.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTC654 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As P-Channel Logic Level MOSFET, UTC654 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs advanced Power Trench process. SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: HUF75631SK8T | UT75N03 | CEDM8004 | BUK7Y19-100E | SWT38N65K2 | CEB85A3
History: HUF75631SK8T | UT75N03 | CEDM8004 | BUK7Y19-100E | SWT38N65K2 | CEB85A3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a