UT30P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT30P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT30P04
UT30P04 Datasheet (PDF)
ut30p04.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P04 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT30P04 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness with UTCs advanced technology. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed
ut30p03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P03 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
