UT30P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT30P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de UT30P04 MOSFET
UT30P04 Datasheet (PDF)
ut30p04.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P04 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT30P04 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness with UTCs advanced technology. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed
ut30p03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P03 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)
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History: DH105N07E | SMIRF20N65T2TL | VN2406D | HY1503C1 | TT8K1 | HSST3134
History: DH105N07E | SMIRF20N65T2TL | VN2406D | HY1503C1 | TT8K1 | HSST3134



Liste
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