UT30P04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT30P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UT30P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT30P04 даташит

 ..1. Size:126K  utc
 ut30p04.pdf pdf_icon

UT30P04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P04 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT30P04 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness with UTC s advanced technology. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

 8.1. Size:159K  utc
 ut30p03.pdf pdf_icon

UT30P04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P03 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UTR4502, UTT100P03, UTT36P03, UTT4407, UTT4425, UTT4815, UTT60P03, BSS84Z, IRFB4227, UT3P06, UT5504, UT9564, UTD413, UTT15P06, UTT18P06, UTT20P04, UTT25P06