UT5504 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT5504
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 91 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 131 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252 SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT5504
UT5504 Datasheet (PDF)
ut5504.pdf
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT5504 Power MOSFET P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT5504 is a P-channel enhancement mode power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness by UTCsadvanced technology. The UTC UT5504 can be used in applications such as D
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