UT5504 Todos los transistores

 

UT5504 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT5504
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252 SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

UT5504 Datasheet (PDF)

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UT5504

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT5504 Power MOSFET P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT5504 is a P-channel enhancement mode power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness by UTCsadvanced technology. The UTC UT5504 can be used in applications such as D

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | AONS36316 | RQK0608BQDQS | STP5N62K3

 

 
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