UT5504 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT5504
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252 SOP-8
Búsqueda de reemplazo de UT5504 MOSFET
UT5504 Datasheet (PDF)
ut5504.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT5504 Power MOSFET P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT5504 is a P-channel enhancement mode power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness by UTCsadvanced technology. The UTC UT5504 can be used in applications such as D
Otros transistores... UTT36P03 , UTT4407 , UTT4425 , UTT4815 , UTT60P03 , BSS84Z , UT30P04 , UT3P06 , IRFB4227 , UT9564 , UTD413 , UTT15P06 , UTT18P06 , UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 .
History: STE24NA100 | WMR07N03T1 | WMM190N03TS | AOSD21313C | SQ1420EEH | OSG95R1K2FF | UTT30P06
History: STE24NA100 | WMR07N03T1 | WMM190N03TS | AOSD21313C | SQ1420EEH | OSG95R1K2FF | UTT30P06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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