UT5504 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT5504

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252 SOP-8

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UT5504 datasheet

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UT5504

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT5504 Power MOSFET P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT5504 is a P-channel enhancement mode power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness by UTC s advanced technology. The UTC UT5504 can be used in applications such as D

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