UTT65P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTT65P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de UTT65P04 MOSFET
UTT65P04 Datasheet (PDF)
utt65p04.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT65P04 Preliminary Power MOSFET 65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT65P04 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.012 @ VGS=-10V, ID=-30A
Otros transistores... UTT18P06 , UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , 12N60 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q .
History: FQB7N65CTM | WMK80R1K5S
History: FQB7N65CTM | WMK80R1K5S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899