UTT65P04 Todos los transistores

 

UTT65P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTT65P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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UTT65P04 Datasheet (PDF)

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UTT65P04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT65P04 Preliminary Power MOSFET 65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT65P04 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.012 @ VGS=-10V, ID=-30A

Otros transistores... UTT18P06 , UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , 12N60 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q .

History: 10N60F | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | FQD7P20TM | IPB65R190CFD

 

 
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