UTT65P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTT65P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UTT65P04 Datasheet (PDF)
utt65p04.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT65P04 Preliminary Power MOSFET 65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT65P04 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.012 @ VGS=-10V, ID=-30A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KX6N70 | CHM1503YJGP
History: KX6N70 | CHM1503YJGP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899