UTT65P04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT65P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UTT65P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT65P04 даташит

 ..1. Size:127K  utc
 utt65p04.pdf pdf_icon

UTT65P04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT65P04 Preliminary Power MOSFET 65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT65P04 is a P-channel power MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.012 @ VGS=-10V, ID=-30A

Другие IGBT... UTT18P06, UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04, UTT30P06, UTT40P04, UTT50P04, UTT50P06, STP75NF75, UD4809, UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q