Справочник MOSFET. UTT65P04

 

UTT65P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT65P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для UTT65P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT65P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  utc
 utt65p04.pdf pdf_icon

UTT65P04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT65P04 Preliminary Power MOSFET 65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT65P04 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.012 @ VGS=-10V, ID=-30A

Другие MOSFET... UTT18P06 , UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , 12N60 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q .

History: SHD218414B | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | SLD80R380SJ | NCEP8818AS

 

 
Back to Top

 


 
.