UP672 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UP672
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UP672
Principales características: UP672
up672.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP672 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 4 5 6 DESCRIPTION 3 The UTC UP672 includes two MOSFET devices in a SOT-363 2 1 package. It achieves high-density mounting and saves mounting SOT-363 costs. FEATURES * Automatic mounting supported SYMBOL (3) (6) D2 D1 (5) (2) G2 G1 S2 S1 (4) (1) N-Chann
Otros transistores... UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , K3569 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 .
History: H5N2508DS | PDC3903Z
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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