UP672 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UP672 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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UP672 datasheet
up672.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP672 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 4 5 6 DESCRIPTION 3 The UTC UP672 includes two MOSFET devices in a SOT-363 2 1 package. It achieves high-density mounting and saves mounting SOT-363 costs. FEATURES * Automatic mounting supported SYMBOL (3) (6) D2 D1 (5) (2) G2 G1 S2 S1 (4) (1) N-Chann
Otros transistores... UTT50P04, UTT50P06, UTT65P04, UD4809, UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, K3569, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04, UT20N03
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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