UT40N03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT40N03T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252 TO-220 TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT40N03T

UT40N03T Datasheet (PDF)

..1. Size:218K utc
ut40n03t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT40N03T Power MOSFET 30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FEATURES * RDS(ON) = 25m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen

7.1. Size:261K utc
ut40n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT40N03 Power MOSFET 40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT40N03 power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness FEATURES * RDS(ON) = 17m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capabili

8.1. Size:124K utc
ut40n04.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT40N04 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIDLD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 40N04 is an N-channel enhancement mode FET using advanced technology to provide fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

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Liste

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