UT85N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT85N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 240 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263 TO-252 TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT85N03

UT85N03 Datasheet (PDF)

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ut85n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT85N03 Power MOSFET 85 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT85N03 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suited for all low voltage applications. FEATURES * RDS(ON)

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