UT85N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT85N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263 TO-252 TO-220

Аналог (замена) для UT85N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT85N03 даташит

 ..1. Size:146K  utc
 ut85n03.pdf pdf_icon

UT85N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT85N03 Power MOSFET 85 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT85N03 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suited for all low voltage applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UT4430, UT4446, UT60N03, UT60T03, UT65N03, UT70N03L, UT7410, UT75N03, RFP50N06, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420, UTD436, UTD454, UTD484, UTF1404