Справочник MOSFET. UT85N03

 

UT85N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT85N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-263 TO-252 TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT85N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  utc
 ut85n03.pdf pdf_icon

UT85N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT85N03 Power MOSFET 85 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT85N03 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suited for all low voltage applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWP30N06

 

 
Back to Top

 


 
.