UTD408 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTD408
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTD408

UTD408 Datasheet (PDF)

..1. Size:257K utc
utd408.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain*Pb-free plating product number: UTD408L1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Le

0.1. Size:303K utc
utd408l-tn3-r utd408g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3UTD408L-

9.1. Size:245K utc
utd405.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD405 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD405 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance by using advanced trench technology. This device is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = -10 V * Low capacitance

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Liste

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