UTD408 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTD408
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0136 Ohm
Тип корпуса: TO-252
UTD408 Datasheet (PDF)
utd408.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain*Pb-free plating product number: UTD408L1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Le
utd408l-tn3-r utd408g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3UTD408L-
utd405.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD405 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD405 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance by using advanced trench technology. This device is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = -10 V * Low capacitance
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: APT30M30JLL | 4N60KL-TF1-T | NTMS4873NF | IRF6100 | FQA13N50C-F109 | IRF8788PBF | SLP10N60C
History: APT30M30JLL | 4N60KL-TF1-T | NTMS4873NF | IRF6100 | FQA13N50C-F109 | IRF8788PBF | SLP10N60C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor