UTT3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT3205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 146 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT3205

UTT3205 Datasheet (PDF)

..1. Size:174K utc
utt3205.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT3205 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT3205 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching, low gate charge, and excellentefficiency. This device is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. FEATURES

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Liste

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