UTT3205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UTT3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT3205 даташит

 ..1. Size:174K  utc
 utt3205.pdf pdf_icon

UTT3205

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT3205 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT3205 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching, low gate charge, and excellent efficiency. This device is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. FEATURES

Другие IGBT... UTT100N05, UTT108N03, UTT120N04, UTT150N03, UTT200N03, UTT20N06, UTT220N03, UTT30N06, IRFZ46N, UTT36N05, UTT40N03, UTT80N05, K596, K1109, TF202, TF212, TF215