TF212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF212
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.2 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SOT-113S SOT-523
- Selección de transistores por parámetros
TF212 Datasheet (PDF)
tf212.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF212 Preliminary JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF212 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES* Suited for use in audio, telephone capacitor microphones. * G
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST
History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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