TF212 Todos los transistores

 

TF212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF212
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: SOT-113S SOT-523
 

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TF212 Datasheet (PDF)

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TF212

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF212 Preliminary JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF212 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES* Suited for use in audio, telephone capacitor microphones. * G

Otros transistores... UTT30N06 , UTT3205 , UTT36N05 , UTT40N03 , UTT80N05 , K596 , K1109 , TF202 , 2SK3918 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW .

History: HUF75637S3ST | PSMN7R0-100BS | WMK80R260S | NCE6003Y | SMG2342NE | FCP360N65S3R0 | SKSS063N08N

 

 
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