Справочник MOSFET. TF212

 

TF212 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TF212
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SOT-113S SOT-523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TF212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  utc
 tf212.pdf pdf_icon

TF212

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF212 Preliminary JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF212 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES* Suited for use in audio, telephone capacitor microphones. * G

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: QM3006S | 2SK56 | 7N65KG-T2Q-T | IRC8405 | IRF6217 | 2N4221

 

 
Back to Top

 


 
.