TF212 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TF212
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SOT-113S SOT-523
TF212 Datasheet (PDF)
tf212.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF212 Preliminary JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF212 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES* Suited for use in audio, telephone capacitor microphones. * G
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918