TF212 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TF212
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SOT-113S SOT-523
Аналог (замена) для TF212
TF212 Datasheet (PDF)
tf212.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF212 Preliminary JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF212 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES* Suited for use in audio, telephone capacitor microphones. * G
Другие MOSFET... UTT30N06 , UTT3205 , UTT36N05 , UTT40N03 , UTT80N05 , K596 , K1109 , TF202 , EMB04N03H , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW .
History: ZM019N03N | IRF5M3205 | 2N4416AC1B | 2N4393C1D | IPP65R125C7 | IRF520S | SPB11N60C3
History: ZM019N03N | IRF5M3205 | 2N4416AC1B | 2N4393C1D | IPP65R125C7 | IRF520S | SPB11N60C3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73


