TF218 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF218
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SOT-523 SOT-723
Búsqueda de reemplazo de TF218 MOSFET
TF218 Datasheet (PDF)
tf218.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF218 JFET N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TF218 is an N-channel junction field effect transistor, and it can be specially used in electronic condenser microphone specially. FEATURES * Good voltage characteristics and transient characteristics. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Pa
Otros transistores... UTT36N05 , UTT40N03 , UTT80N05 , K596 , K1109 , TF202 , TF212 , TF215 , MMIS60R580P , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N .
History: IRF5801PBF-1 | IXTA220N055T
History: IRF5801PBF-1 | IXTA220N055T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor

