TF218 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF218
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SOT-523 SOT-723
- Selección de transistores por parámetros
TF218 Datasheet (PDF)
tf218.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF218 JFET N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TF218 is an N-channel junction field effect transistor, and it can be specially used in electronic condenser microphone specially. FEATURES * Good voltage characteristics and transient characteristics. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Pa
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RJL6014DPP | SSG4394N | STW27NM60ND | HUF75623P3 | AON3806 | IRFBA90N20DPBF | STS4DPF30L
History: RJL6014DPP | SSG4394N | STW27NM60ND | HUF75623P3 | AON3806 | IRFBA90N20DPBF | STS4DPF30L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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