TF218 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TF218
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SOT-523 SOT-723
TF218 Datasheet (PDF)
tf218.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF218 JFET N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TF218 is an N-channel junction field effect transistor, and it can be specially used in electronic condenser microphone specially. FEATURES * Good voltage characteristics and transient characteristics. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Pa
Другие MOSFET... UTT36N05 , UTT40N03 , UTT80N05 , K596 , K1109 , TF202 , TF212 , TF215 , MDF11N65B , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N .
History: BSP613P
History: BSP613P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918