Справочник MOSFET. TF218

 

TF218 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TF218
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SOT-523 SOT-723
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TF218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  utc
 tf218.pdf pdf_icon

TF218

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF218 JFET N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TF218 is an N-channel junction field effect transistor, and it can be specially used in electronic condenser microphone specially. FEATURES * Good voltage characteristics and transient characteristics. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Pa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH26N50P | AO6804A | AUIRFR4104TR | OSG60R060HT3ZF | WMJ38N60C2 | AOD413 | BUK452-100A

 

 
Back to Top

 


 
.