UT4812 Todos los transistores

 

UT4812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT4812
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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UT4812 Datasheet (PDF)

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UT4812

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4812 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4812 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UT4812 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES * 30V/6.9A * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged SYMBOL (7) (8) (5) (6)Lead-free: UT481

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 ut4812z.pdf pdf_icon

UT4812

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4812Z Power MOSFET 30V, 6.9A DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT4812Z can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UTC UT4812Z is suitable for using as a load switch or in PWMapplications. FEATURES * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged * Halogen Free SYMBOL ORDERIN

Otros transistores... UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , 20N60 , UT4812Z , UT4822 , UT4957 , UT6898 , UT7317 , UTM4953 , RD00HHS1 , RD00HVS1 .

History: NTHL082N65S3F | FDBL86210-F085 | KIA3510A-263

 

 
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