RD00HHS1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD00HHS1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: SOT-89

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RD00HHS1 datasheet

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Otros transistores... UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, IRF1404, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1, RD06HHF1