RD00HHS1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD00HHS1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для RD00HHS1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD00HHS1 даташит

No data!

Другие IGBT... UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, IRF1404, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1, RD06HHF1