RD00HHS1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: RD00HHS1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SOT-89

Другие MOSFET... UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 , UT4957 , UT6898 , UT7317 , UTM4953 , IRFZ44 , RD00HVS1 , RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 .