RD06HHF1 Todos los transistores

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RD06HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD06HHF1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 27.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-220S

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RD06HHF1 Datasheet (PDF)

1.1. rd06hhf1.pdf Size:200K _mitsubishi

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W DESCRIPTION OUTLINE DRAWING 9.1+/-0.7 RD06HHF1 is a MOS FET type transistor specifically 1.3+/-0.4 designed for HF RF power amplifiers applications. 3.6+/-0.2 2 FEATURES •High power gain: Pout>6W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz 1.2+/-0.4

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