RD06HHF1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD06HHF1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-220S

Аналог (замена) для RD06HHF1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD06HHF1 даташит

No data!

Другие IGBT... RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1, 10N60, RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MVS2, RD09MUP2, RD100HHF1, RD12MVP1, RD15HVF1, RD16HHF1