RD06HHF1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RD06HHF1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-220S
Аналог (замена) для RD06HHF1
RD06HHF1 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... RD00HHS1 , RD00HVS1 , RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , 10N60 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 .
History: AON6710 | 2SK2897-01 | IRLR2905ZPBF | IRLU3636PBF | HP3710P | SML601R3KN | HB100N08
History: AON6710 | 2SK2897-01 | IRLR2905ZPBF | IRLU3636PBF | HP3710P | SML601R3KN | HB100N08
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent

