RD12MVP1 Todos los transistores

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RD12MVP1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD12MVP1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

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RD12MVP1 Datasheet (PDF)

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD12MVP1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W (a) (b) (b) 7.0+/-0.2 DESCRIPTION OUTLINE DRAWING 0.2+/-0.05 8.0+/-0.2 RD12MVP1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. (d) FEATURES (4.5) 2.6+/-0.2 0.95+/-0.2

Otros transistores... RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , 2N5484 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C .

 


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MOSFET: IRLL2703PBF | IRLL110TRPBF | IRLL024ZPBF | IRLL024NPBF | IRLL014PBF | IRLL014NPBF | IRLL3303PBF | IRLL2705PBF | IRF200B211 | IRF1902PBF | IRF1704 | IRF1607PBF | IRF150SMD | IRF150C | IRF150B |

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