RD12MVP1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD12MVP1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Аналог (замена) для RD12MVP1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD12MVP1 даташит

No data!

Другие IGBT... RD02MUS2, RD05MMP1, RD06HHF1, RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MVS2, RD09MUP2, RD100HHF1, 7N65, RD15HVF1, RD16HHF1, RD30HVF1, RD45HMF1, RD60HUF1, RD70HHF1, RD70HVF1, SIF10N40C