RD16HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD16HHF1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-220S
Búsqueda de reemplazo de RD16HHF1 MOSFET
RD16HHF1 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... RD06HHF1 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , IRF630 , RD30HVF1 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C .
History: HM16N60F | JMTL2305B1 | IRLR8729PBF-1
History: HM16N60F | JMTL2305B1 | IRLR8729PBF-1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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