RD16HHF1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD16HHF1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-220S

Аналог (замена) для RD16HHF1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD16HHF1 даташит

No data!

Другие IGBT... RD06HHF1, RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MVS2, RD09MUP2, RD100HHF1, RD12MVP1, RD15HVF1, IRF630, RD30HVF1, RD45HMF1, RD60HUF1, RD70HHF1, RD70HVF1, SIF10N40C, SIF10N60C, SIF10N65C