RD30HVF1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD30HVF1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: CERAMIC SMALL

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RD30HVF1 datasheet

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Otros transistores... RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MVS2, RD09MUP2, RD100HHF1, RD12MVP1, RD15HVF1, RD16HHF1, IRF9540, RD45HMF1, RD60HUF1, RD70HHF1, RD70HVF1, SIF10N40C, SIF10N60C, SIF10N65C, SIF10N70C