RD30HVF1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RD30HVF1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Тип корпуса: CERAMIC SMALL
Аналог (замена) для RD30HVF1
RD30HVF1 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , K3569 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent