RD30HVF1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: RD30HVF1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Тип корпуса: CERAMIC SMALL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам