SIF13N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIF13N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de SIF13N50C MOSFET
SIF13N50C Datasheet (PDF)
sif13n50c.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF13N50CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF13N50CN- MOS / N-CHA
Otros transistores... RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C , SIF110N060 , SIF12N60C , SIF12N65C , SPP20N60C3 , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , SIF2N60C , SIF2N60D , SIF2N65C , SIF2N65D .
History: GP3401 | NCE1227SP | IAUS300N08S5N014 | IPP041N04N | BSN20BK | IPP052N06L3 | IPD60R3K4CE
History: GP3401 | NCE1227SP | IAUS300N08S5N014 | IPP041N04N | BSN20BK | IPP052N06L3 | IPD60R3K4CE
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438

