SIF2N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIF2N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220FP TO-251 TO-251S TO-252
Búsqueda de reemplazo de SIF2N60C MOSFET
SIF2N60C Datasheet (PDF)
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Otros transistores... SIF110N060 , SIF12N60C , SIF12N65C , SIF13N50C , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , 4N60 , SIF2N60D , SIF2N65C , SIF2N65D , SIF2N70D , SIF4N60C , SIF4N60D , SIF4N65C , SIF4N65D .
History: NTD20N06-1G | IRFBC30ALPBF | IRLR7843CPBF | RUH60100M | IRL7486MTRPBF | D4N65 | FDD9409F085
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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