SIF4N60D Todos los transistores

 

SIF4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIF4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.3 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220FP TO-262 TO-263 TO-251 TO-251S TO-252
 

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SIF4N60D Datasheet (PDF)

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N60DN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N60DN- MOS / N-CHANN

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N60CN- MOS / N-CHANN

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