SIF4N65C MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SIF4N65C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIF4N65C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220S TO-262 TO-263 TO-251 TO-251S TO-252

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SIF4N65C datasheet

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65C N- MOS / N-CHANN

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