SIF80N060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIF80N060
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 354 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de SIF80N060 MOSFET
SIF80N060 Datasheet (PDF)
sif80n060.pdf

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF80N060N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF80N060
Otros transistores... SIF5N65C , SIF6N70C , SIF7N60C , SIF7N60D , SIF7N65C , SIF7N65D , SIF7N70C , SIF7N80C , 4N60 , SIF8N50C , 2SK3018S3 , 2SK3019C3 , 2SK3541Y3 , BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 .
History: AP2325GEN | AOB20S60 | SD8901HD
History: AP2325GEN | AOB20S60 | SD8901HD



Liste
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