2SK3541Y3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK3541Y3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Encapsulados: SOT-723
Búsqueda de reemplazo de 2SK3541Y3 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SK3541Y3 datasheet
2sk3541y3.pdf
Spec. No. C800Y3 Issued Date 2011.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V 2SK3541Y3 ID 100mA 3.4 (TYP) RDSON@4V 6.9 (TYP) RDSON@2.5V Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected dev
2sk3541.pdf
2SK3541 Transistor 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3541 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel VMT3 MOSFET 1.2 0.32 (3) Applications Interfacing, switching (30V, 100mA) (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate Features (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol KN 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes
2sk3541t2l.pdf
2SK3541 Transistor 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3541 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel VMT3 MOSFET 1.2 0.32 (3) Applications Interfacing, switching (30V, 100mA) (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate Features (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol KN 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes
2sk3541.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2SK3541 N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8 @4V 30V 100mA 13 @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circu
Otros transistores... SIF7N65C, SIF7N65D, SIF7N70C, SIF7N80C, SIF80N060, SIF8N50C, 2SK3018S3, 2SK3019C3, IRF2807, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3
History: IPI120P04P4-04 | SJMN099RH65SW
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647
