2SK3541Y3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3541Y3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

Аналог (замена) для 2SK3541Y3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3541Y3 даташит

 ..1. Size:344K  cystek
2sk3541y3.pdfpdf_icon

2SK3541Y3

Spec. No. C800Y3 Issued Date 2011.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V 2SK3541Y3 ID 100mA 3.4 (TYP) RDSON@4V 6.9 (TYP) RDSON@2.5V Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected dev

 7.1. Size:78K  rohm
2sk3541.pdfpdf_icon

2SK3541Y3

2SK3541 Transistor 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3541 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel VMT3 MOSFET 1.2 0.32 (3) Applications Interfacing, switching (30V, 100mA) (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate Features (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol KN 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes

 7.2. Size:72K  rohm
2sk3541t2l.pdfpdf_icon

2SK3541Y3

2SK3541 Transistor 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3541 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel VMT3 MOSFET 1.2 0.32 (3) Applications Interfacing, switching (30V, 100mA) (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate Features (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol KN 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes

 7.3. Size:1595K  jiangsu
2sk3541.pdfpdf_icon

2SK3541Y3

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2SK3541 N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8 @4V 30V 100mA 13 @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circu

Другие IGBT... SIF7N65C, SIF7N65D, SIF7N70C, SIF7N80C, SIF80N060, SIF8N50C, 2SK3018S3, 2SK3019C3, IRF2807, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3