MTA25N02J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA25N02J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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MTA25N02J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:310K cystek
mta25n02j3.pdf

Spec. No. : C413J3 Issued Date : 2012.08.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTA25N02J3 ID 22A16m VGS=10V, ID=12A 18m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 32m VGS=2.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Ci

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History: 2SK1859

Liste

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