MTA25N02J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA25N02J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTA25N02J3 datasheet

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MTA25N02J3

Spec. No. C413J3 Issued Date 2012.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20V MTA25N02J3 ID 22A 16m VGS=10V, ID=12A 18m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 32m VGS=2.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Ci

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