MTA25N02J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTA25N02J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTA25N02J3 MOSFET
MTA25N02J3 Datasheet (PDF)
mta25n02j3.pdf

Spec. No. : C413J3 Issued Date : 2012.08.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTA25N02J3 ID 22A16m VGS=10V, ID=12A 18m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 32m VGS=2.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Ci
Otros transistores... MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , AON7403 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , MTA65N20H8 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 , MTB02N03J3 , MTB02N03Q8 .
History: IPD068N10N3 | IPL65R190E6 | SMG2314NE
History: IPD068N10N3 | IPL65R190E6 | SMG2314NE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080