MTA25N02J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA25N02J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTA25N02J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA25N02J3 даташит

 ..1. Size:310K  cystek
 mta25n02j3.pdf pdf_icon

MTA25N02J3

Spec. No. C413J3 Issued Date 2012.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20V MTA25N02J3 ID 22A 16m VGS=10V, ID=12A 18m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 32m VGS=2.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Ci

Другие IGBT... MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, IRF9640, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, MTA90N03ZN3, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8