Справочник MOSFET. MTA25N02J3

 

MTA25N02J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA25N02J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTA25N02J3

 

 

MTA25N02J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mta25n02j3.pdf

MTA25N02J3 MTA25N02J3

Spec. No. : C413J3 Issued Date : 2012.08.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTA25N02J3 ID 22A16m VGS=10V, ID=12A 18m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 32m VGS=2.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Ci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WML18N50C4

 

 
Back to Top