MTA65N15H8 Todos los transistores

 

MTA65N15H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTA65N15H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTA65N15H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  cystek
 mta65n15h8.pdf pdf_icon

MTA65N15H8

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2014.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTA65N15H8ID @VGS=10V 20A60m VGS=10V, ID=15A 59m RDSON(TYP) VGS=5V, ID=10A 60m VGS=3V, ID=3A Description The MTA65N15H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinati

 8.1. Size:385K  cystek
 mta65n20h8.pdf pdf_icon

MTA65N15H8

Spec. No. : C866H8 Issued Date : 2014.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA65N20H8ID @VGS=10V 24A74m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 74m VGS=5V, ID=5A Description The MTA65N20H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LSH70R640GT | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | 2SK1485 | BLF7G24LS-100 | SPA22N65G

 

 
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