MTB070N11J3 Todos los transistores

 

MTB070N11J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB070N11J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTB070N11J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  cystek
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MTB070N11J3

Spec. No. : C932J3 Issued Date : 2013.10.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 110VMTB070N11J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 82 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 81 m(typ) Features Low on resistance Simple drive requirement Low gate charge Fast switching characteristic

 8.1. Size:369K  cystek
 mtb070p15j3.pdf pdf_icon

MTB070N11J3

Spec. No. : C985J3 Issued Date : 2015.01.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTB070P15J3 ID@VGS=-10V, TC=25C -21A ID@VGS=-10V, TA=25C -3.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5.2A 65m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-5A 69m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast sw

Otros transistores... MTB060N06I3 , MTB060N15J3 , MTB06N03E3 , MTB06N03H8 , MTB06N03I3 , MTB06N03J3 , MTB06N03Q8 , MTB06N03V8 , IRF3710 , MTB08N04J3 , MTB090N06I3 , MTB090N06N3 , MTB09N03H8 , MTB09N03V8 , MTB09N04H8 , MTB09N06J3 , MTB09N06Q8 .

History: AOCA24108E | DMC2004LPK | STD12NM50ND | IRLZ44NPBF | WMN11N80M3 | MTB06N03J3 | HP8KA1

 

 
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