MTB070N11J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB070N11J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTB070N11J3 datasheet

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MTB070N11J3

Spec. No. C932J3 Issued Date 2013.10.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 110V MTB070N11J3 ID 15A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 82 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 81 m (typ) Features Low on resistance Simple drive requirement Low gate charge Fast switching characteristic

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MTB070N11J3

Spec. No. C985J3 Issued Date 2015.01.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTB070P15J3 ID@VGS=-10V, TC=25 C -21A ID@VGS=-10V, TA=25 C -3.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5.2A 65m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-5A 69m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast sw

Otros transistores... MTB060N06I3, MTB060N15J3, MTB06N03E3, MTB06N03H8, MTB06N03I3, MTB06N03J3, MTB06N03Q8, MTB06N03V8, AO3400, MTB08N04J3, MTB090N06I3, MTB090N06N3, MTB09N03H8, MTB09N03V8, MTB09N04H8, MTB09N06J3, MTB09N06Q8